Nowe zaawansowane diody QSpeed firmy Power Integrations

Firma Power Integrations wprowadza na rynek diody Qspeed^TM, w konstrukcji których zastosowano unikatowy proces bazujący na technologii krzemowej. W efekcie tego procesu uzyskano niezwykłe własności tych diod polegające na znikomo małym ładunku przełączania w kierunku zaporowym (Q_RR) i jednocześnie bardzo gładkiej charakterystyce powrotu.

Obie te własności razem pozwalają konstruktorom na zoptymalizowanie sprawności i parametrów emisji zakłóceń EMI projektowanych przez nich układów przetwornic i zasilaczy impulsowych. Diody Qspeed^TM nadają się idealnie do zastosowań w układach korekcji współczynnika mocy (PFC) z podwyższeniem napięcia pracujących w trybie ciągłego przewodzenia (CCM) i jako diody stopni wyjściowych aplikacji pracujących w trudnych warunkach przełączania. Diody typu Qspeed^TM charakteryzują się Q_RR mniejszym niż diody krzemowe dotąd produkowane. Własności tych diod w kierunku zaporowym pozwalają zwiększyć sprawność, zredukować zakłócenia EMI oraz wyeliminować konieczność używania układów tłumiących zakłócenia.

Własności:
Mały ładunek Q_RR, mały prąd I_RRM, mały czas t_RR
Możliwość uzyskania dużej szybkości narastania prądu w kierunku przewodzenia d_IF/dt (1000 A/s)
Łagodna charakterystyka powrotu

Korzyści:
Zwiększenie sprawności
Wyeliminowanie potrzeby stosowania układów tłumiących zakłócenia
Zmniejszenie liczby i rozmiarów filtrów EMI
Niezwykle szybkie przełączanie

Zastosowania:
Diody pracujące w układach korekcji współczynnika mocy z podwyższeniem napięcia
Układy sterowania silnikami
Przetwornice DC/AC

Więcej informacji na stronie producenta: www.powerint.com